SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。

这不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

成本问题一直制约着SiC的发展。据Wolfspeed财报说明，SiC从6英寸升级为8英寸，晶圆成本是增加的，但从8英寸晶圆中获得的优良裸片数量可增加20%～30%，产量更高，zui终的芯片成本将更低。

近年来，各大SiC厂商加速8英寸晶圆的开发量产进程。

国际上，意法半导体瑞典北雪平工厂成功制造出首批8英寸SiC晶圆片；SiC龙头WolfSpeed启用并开始试产旗下一座8英寸新厂；法国Soitec半导体公司发布首款8英寸SmartSiC晶圆。

国内方面，烁科晶体实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步；中科院物理所于2021年10月在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体，后又成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体，晶坯厚度接近19.6mm，加工出了厚度约2mm的8英寸SiC晶片。