随着新能源汽车的加速渗透，车用芯片需求不断上升。当下部分车规芯片需求短缺情况得到有效缓解，但值得注意的是，以IGBT为主的功率半导体却依旧紧缺。

据悉，功率半导体是处理较高电压的半导体器件，是电子装置中电能转换与电路控制的he心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近期多家企业聚焦功率半导体需求，动态频频。

据外媒消息，日本瑞萨电子将为中国纯电动汽车企业提供新一代车用芯片及服务，包括功率半导体和MCU相关软件。

8月30日，该公司启动了将电力损耗比此前产品降低1成的逆变器用功率半导体的样品供货。还将提供与微控制单元（MCU）等其他半导体零部件结合的参考设计和软件，以获取研发速度快的中国企业等的需求。

此外，guan方资料显示，瑞萨已经启动了新一代的硅制IGBT的样品供货，该产品技术原理是将电池和马达结合起来，可作用于电力转换和马达控制的逆变器的he心零部件。技术方面，新一代的硅制IGBT在尺寸缩减10%的同时，还将电力损耗也减少了10％。此外，这款产品还兼顾了耐用性与功率，并降低各元件发生的性能偏差，在并联后使用时能稳定运行。

据悉，瑞萨电子决定自2023年上半年起在茨城县那珂工厂量产该产品，2024年上半年起在山梨县甲府工厂生产该产品。

东部高科发力功率半导体代工市场，推出0.13微米BCD工艺平台

近期，晶圆代工企业东部高科（DB HiTek）宣布推出0.13微米120V BCD工艺平台，并将拓展更高附加值的汽车和工业用功率半导体代工业务。

guan方表示，高压BCD特色工艺突破后，东部高科将能够面向移动设备、家用电器、显示器、汽车、数据中心等领域应用提供全面的功率半导体代工服务。据悉，东部高科其OTP芯片等产品已获得AEC-Q100zui严苛的0级标准ren证，该公司计划在今年年底开始向客户提供功率半导体DTI（深槽隔离）方案选项。

近期，在接受投资者调研时称，东微半导表示，公司在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发，有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作。

在IGBT产品领域，公司加强对自有知识产权技术Tri-gateIGBT技术研发力度，产品顺利通过多个客户验证并被批量使用，迅速实现了高性能 IGBT 产品的国产化替代。公司第二代Tri-gateIGBT技术开发成功，产品性能进一步提升。同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进。

近日，据外媒消息，日立功率半导体公司计划投资超1000亿日元，将用于电动汽车和电器等产品的功率半导体产能提高至3倍。到2027年，日立功率半导体公司将提高临海和山梨工厂以及一家承包工厂的产量。

公开资料显示，今年3月，日立能源与恩智浦宣布合作开发电源模块，加快碳化硅在电动交通领域的采用，为汽车动力总成逆变器开发更高效、更可靠且功能更安全的SiC MOSFET解决方案，包括恩智浦的GD3160单通道隔离式高压栅极驱动器以及日立的RoadPak车用SiC MOSFET功率模块。